【三星计划明年生产第9代V-NAND闪存 沿用双层堆栈架构】!!!今天受到全网的关注度非常高，那么具体的是什么情况呢，下面大家可以一起来看看具体都是怎么回事吧！
1、【三星计划明年生产第9代V-NAND闪存 沿用双层堆栈架构】三星电子计划明年生产第9代V-NAND闪存，将沿用双层堆栈架构，超过300层。
2、报道称，这将使三星的进度超过SK海力士，后者计划2025年上半年量产三层堆栈架构的321层NAND闪存。
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